半導体事業部

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バックグラインド加工

バックグラインド加工

裏面研削加工を100µm以下の薄物でも安心して御依頼して頂けますよう、BG加工後のポリッシュ加工、ダイサーを同一ルーム内に設置しています。
また後工程研削向けに各種保護シートを保有しBUMP付き、Bad Mark付のウェハにも対応いたします。

対応ウェハ径:6,8インチ、12インチ

 

バックグラインド加工

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ポリッシュ加工(CMP)

ポリッシュ加工(CMP)

BG研削により起こるソリや強度不足の原因である砥石による破砕層をポリッシュ加工によりストレスリリーフ致します。
ポリッシャーとグラインダーの搬送系が一体となっており
ウェハを単体で開放せずに平らな状態のままで、ポリッシュ
加工行いますのでハンドリングによるワレが起こりません。
対応ウェハ径:6,8インチ,12インチ

 

ポリッシュ加工(CMP)

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チップ加工(ダイシング工程)

チップ加工(ダイシング工程)

シングルカット、ステップカット,Vカット(ベベルカット)等各種のダイシング加工が可能です。
2流体のダイサーも保有しておりますのでコンタミ付着等でお困りのお客様は御相談ください。
シリコン(Si)をメインにガラス、アルミナセラミック、合成石英、FR4、FPC、樹脂にも対応致します。
 チップ1ヶ、ウェハ1枚から加工対応致しますので、お気軽にご相談ください。

対応ウェハ径:2, 3, 4,5,6,8,12インチ

 

チップ加工(ダイシング工程)

*ダイシングカット仕様
A:デュアルカット B:ステップカット C:ベベルカット

チップ加工(ダイシング工程)

    a. 加工は直線の加工しか出来ませんが、カットチャンネルが4chある為
      ワークを多角形にカットする事が可能です。(最大で8角形)
    b. サブインデックスという加工方法を用いる事により、
      等間隔ピッチ以外の加工も可能です。
    c. 12インチワークを4分割に加工し、扇状になったウエハを8インチリングに
      1枚ずつ搭載する事で、8インチの装置で12インチを加工する事が可能です。
      *分割後のチップ移載に関しても、MAPデータ対応致します。

又、上記のb、cを組み合わせてチップ加工した物ダイシングテープに貼りチップを更に個片化する事も可能です。
その他、この様な加工は出来るか等の御質問がありましたら、お気軽にお尋ね下さい。

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ペレットチャージ加工(チップ移戴工程)

ペレットチャージ加工(チップ移戴工程)

パーティクル(異物)付着に細心の注意を払いフルカバークリーンファン付き、又はクリーンブース内の設備で御対応致します。
チップトレイ、JEDECトレイ、エンボステープへのウェハからの詰め替え対応をバットマーク、ウェハマップデータのどちらでも対応可能な設備を保有しております。
極小チップ(0.7x0.7)、長細チップ(0.8x25.0)等の様々なチップに対応致します。

対応ウェハサイズ:2,3,4,5,6,8,12インチ
対応トレイサイズ:2,3,4インチトレイ
及びJEDECトレイ、エンボステープ

 

ペレットチャージ加工(チップ移戴工程) ペレットチャージ加工(チップ移戴工程)

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外観選別工程

外観選別工程

熟練された作業者(認定制度)によりお客様の仕様に併せて全数検査、抜き取り検査、ウェハ状態での検査等を致します。
作業は全てクリーンルーム内のクリーンブース、クリーンベンチ内でパーティクル、ESDに注意を払い行います。
実体顕微鏡、金属顕微鏡どちらでも対応可能です。
現在イントレイでの外観検査装置導入検討中。

 

外観選別工程

実体顕微鏡、金属顕微鏡
・検査倍率:10~200倍

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12インチ対応ライン

12インチ対応ライン

ダイシング

12インチウェハにもダイシング、トレイ詰めが、標準で可能です。

12インチ対応ライン

トレイ詰め

照明を切り替えることでベアチップ、CSP、どちらにも対応可能です。

トレイサイズ:2,3,4インチ

 

12インチ対応ライン12インチ対応ライン

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計測機器

計測機器の充実を図り、お客さまお要求のデーターを提示出来る様に致しましたので、是非ご活用ください。

計測機器

シェアー強度

シェアー強度
スタットバンプなどの接合強度の評価・確認が可能です。
(最大荷重 500g)

計測機器

抗折強度

抗折強度
ウェハの薄型化に伴い、チップの抗折強度も注目されております。
チップの抗折強度の評価・確認が可能です。
(最大荷重 100N)
*ニュートン、グラム、メガパスカルでのデーター出力が可能です。

計測機器

厚さ測定(接触式)

厚さ測定(接触式)
ウェハ状態からチップの厚さまで、精度良く測定する事が可能です。
ウェハ及びチップの厚さ測定が可能です。
(0.001umまでの測定可能)

計測機器

粗さ測定(接触式)

粗さ測定(接触式)
裏面研削後の面粗さの測定を行います。

 

ウェハ裏面研削後の面粗さ状態の確認が可能です。
(Ra≧0.001以上 測定が可能です)
*Ra,Rz,Ry,Rmax,Sm,S,tpなど出力パラメーターは全部で34種類

計測機器

IR顕微鏡

IR顕微鏡
ウェハレベルCSPの単結晶Siを赤外線(IR)を用いて透過させて、
チップの状態を非破壊で確認する事が可能です。
(倍率 : 20倍、50倍、100倍、200倍)

計測機器

ピール強度測定

ピール強度測定
各種テープの粘着強度の測定が可能です。
エンボスキャリアテープや紙キャリアテープにシールされた、カバーテープの 剥離強度をJIS規格に準拠した方法で評価・確認する事が可能です。
(最大荷重:0.9807N(100gf))

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技術・営業のお問い合わせ:半導体事業部  梅田

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